MOS管如何判断IC的驱动能力?
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现象①
你是否遇到过这样的情况?IC芯片空载时,输出电压正常,但当带上负载后,输出电压马上就会往下掉。这是怎么回事呢?
现象②
如图为MOS管的驱动波形,可以看出开启过程并不顺利。这是为什么呢?
正常情况下,带载后的电压可能会比空载电压略低,但下降幅度不明显。如果输出电压下降太多,可能原因有两种:
①后级负载短路,输出电压直接到地。这时候需要确认后级电路是否有虚焊或元件损坏。
②IC驱动能力不够。
任何情况都要考虑,包括数字信号处理的接口电路中。但是常说的驱动能力都是在驱动功率器件的情况下用得比较多,比如上面提到的MOS驱动。
查看芯片资料,里面都有说明I/O口的驱动能力。根据你的负载所需要的驱动能力来判断这个IC的I/O口是否符合。前面现象②明显是MOS管的驱动能力不足造成的。
由于国外器件采购的限制,很多公司都面临IC国产化问题,我们也一样。
拿到样品后我们需要做相关的实验,例如最近有一款代替MOS管的驱动芯片。大概说明一下测试方法(之前我有一篇文章写的是关于如何估算MOS的驱动电流的文章,如果不是替代实验,不知道驱动电流大概多少的可以看一下。)
可以先估算MOS管的驱动电流,假设300mA。同等条件下,再对比两款芯片带假负载后芯片的温升及负载电压。如果温升和电压差不多,就直接驱动MOS,再做进一步实验,否则不可用。
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